{کلید واژه} تولید کنندگان

سری RA دستگاه تمیزکاری اولتراسونیک صنعتی با دو فرکانس مناسب برای کاربردهای صنعتی است. مولد مافوق صوت م componentلفه اصلی پیشرفته ترین پلتفرم فناوری T را به کار می برد که دارای بازده تمیز کردن بالا ، عملیات ساده و عدم نیاز به اشکال زدایی در محل است.

ژنراتور فراصوت با فرکانس بالا سری TU یک ژنراتور فراصوت است که بیش از ده سال توسط شرکت Clangsonic توسعه یافته است و در زمینه تمیزکاری های پیشرفته صنعتی قرار دارد. این ژنراتور فراصوت با فرکانس بالا سری TU با فناوری جدید و با تغییر فاز پل کامل ، خروجی برق ثابت ، تعقیب اتوماتیک فرکانس و تغییر امپدانس اتوماتیک توسعه یافته است. این می تواند سازگاری ژنراتور را برای پایداری شرایط مختلف کار بیشتر بهبود بخشد.

این دستگاه تمیز کننده التراسونیک با فرکانس متغیر M-120 یک تجهیزات اتوماتیک است ، مخصوصاً برای صنعت تمیز کردن استفاده می شود. این شامل 1 مخزن تمیز کردن اولتراسونیک با HMI زیمنس برای دستیابی به رابط کاربر پسند برای تنظیمات پارامترها ، بستر بارگیری / تخلیه سیستم و سیستم نوسان است. این فناوری بر اساس فناوری پیشرفته Full Bridge Phase Shift و مجهز به صفحه نمایش LCD ، تایمر ، بخاری و غیره ساخته شده است ، کار با آن آسان است و نیازی به رفع اشکال ندارد. این به طور گسترده ای در قطعات فلزی ، قطعات خودرو ، الکترونیک و صنایع پزشکی و غیره استفاده می شود.

ژنراتور اولتراسونیک 2000 وات از طریق بیش از 10 سال تجربه انباشته برای کاربردهای تمیزکاری پیشرفته صنعتی تولید شده است. این 4 فناوری عمده را در نظر گرفته است: تغییر پل فاز کامل ، خروجی ثابت برق ، ردیابی فرکانس خودکار و خودتنطبیقی ​​بار که باعث بهبود ثبات و سازگاری با شرایط مختلف کار می شود.

تمیز کننده اولتراسونیک آزمایشگاه R30 برای استفاده در آزمایشگاه ، جواهرات ، عینک ، لنزها و تمیز کردن اجزای فوق العاده ریز صنعتی مناسب است. پاک کننده التراسونیک آزمایشگاهی بر اساس فناوری پیشرفته Full Bridge Phase Shift و مجهز به صفحه نمایش LCD ، تایمر ، بخاری و غیره ساخته شده است ، کار با آن آسان است و نیازی به رفع اشکال ندارد

مبدل تمیز کننده اولتراسونیک جز component اصلی دستگاه اولتراسونیک است و مشخصات پارامتر آن عملکرد کل دستگاه را تعیین می کند. مبدل تمیز کننده اولتراسونیک یک مبدل ساندویچی است که معمولاً استفاده می شود علاوه بر ساختار مغناطیسی.